BS170
$8.00
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Sin impuestos
ESPECIFICACIONES:
Tipo FET: Canal N
Tecnología: MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 60V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC: 500mA
Vgs (máx.): ±20V
Disipación de potencia (Máx.): 830mW
Temperatura de funcionamiento: -55°C ~ 150°C
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Tipo FET: Canal N
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Vgs (máx.): ±20V
Disipación de potencia (Máx.): 830mW
Temperatura de funcionamiento: -55°C ~ 150°C